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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：155/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 X-RAY-DIFFRACTION  ISLANDS  SURFACES  GROWTH   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 1161-1163 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  ISLANDS  SURFACES  GROWTH  X-RAY-DIFFRACTION