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科研机构
半导体研究所 [2]
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期刊论文 [2]
发表日期
2003 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Hu GQ
;
Wang XH
;
Wang ZG
;
Duan XF
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提交时间:2010/08/12
Si(111) substrate
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION LAYERS
BUFFER LAYER
SILICON
SAPPHIRE
NITRIDE
EPITAXY
STRESS
STRAIN
Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
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  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE
EPILAYERS
STRESS
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ELECTRONS
SILICON
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