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科研机构
半导体研究所 [41]
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期刊论文 [35]
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发表日期
2017 [2]
2016 [1]
2012 [1]
2011 [6]
2009 [1]
2007 [2]
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学科主题
半导体材料 [41]
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学科主题:半导体材料
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Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329
作者:
Fangzheng Li
;
Lianshan Wang
;
Guijuan Zhao
;
Yulin Meng
;
Huijie Li
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/05/23
Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 110, 页码: 324-329
作者:
Fangzheng Li
;
Lianshan Wang
;
Guijuan Zhao
;
Yulin Meng
;
Huijie Li
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/23
High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
期刊论文
adv mater, 2016, 卷号: 28, 期号: 36, 页码: 7978-7983
Xin Rong
;
Xinqiang Wang
;
Sergey V. Ivanov
;
Xinhe Jiang
;
Guang Chen
;
Ping Wang
;
Weiying Wang
;
Chenguang He
;
Tao Wang
;
Tobias Schulz
;
Martin Albrecht
;
Valentin N. Jmerik
;
Alexey A. Toropov
;
Viacheslav V. Ratnikov
;
Vladimir I. Kozlovsky
;
Victor P. Martovitsky
;
Peng Jin
;
Fujun Xu
;
Xuelin Yang
;
Zhixin Qin
;
Weikun Ge
;
Junjie Shi
;
and Bo Shen
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2017/03/10
Ultraviolet electroluminescence from ordered ZnO nanorod array/p-GaN light emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 17, 页码: 171109
Dong, JJ
;
Zhang, XW
;
Yin, ZG
;
Wang, JX
;
Zhang, SG
;
Si, FT
;
Gao, HL
;
Liu, X
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/17
Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
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浏览/下载:25/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Zhang ML
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浏览/下载:65/4
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提交时间:2011/07/07
GaN
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:53/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
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浏览/下载:49/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
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浏览/下载:43/4
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提交时间:2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
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