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半导体研究所 [177]
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发表日期
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2011 [10]
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学科主题
半导体材料 [177]
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共177条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq3
期刊论文
Applied Surface Science, 2017, 卷号: 413, 页码: 191–196
作者:
Chao Yuan
;
Min Guan
;
Yang Zhang
;
Yiyang Li
;
Shuangjie Liu
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2018/06/01
Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth
期刊论文
nanomaterials, 2015, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 1532-1543
Xingfang Liu
;
Yu Chen
;
Changzheng Sun
;
Min Guan
;
Yang Zhang
;
Feng Zhang
;
Guosheng Sun
;
Yiping Zeng
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/03/29
Temperature dependence of anisotropic mode splitting induced by birefringence in an InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting laser studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
applied optics, 2013, 卷号: 52, 期号: 5, 页码: 1035-1040
Yu, Jinling
;
Chen, Yonghai
;
Cheng, Shuying
;
Lai, Yunfeng
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/22
Investigation of cavity mode and excitonic transition in an InGaAs/GaAs/AlGaAs vertical-cavity surface emitting laser structure by variable-temperature micro-photoluminescence, reflectance and photomodulated reflectance
期刊论文
journal of physics: conference series, 2012, 卷号: 400, 期号: part 1, 页码: 012088
Yu, J.L
;
Chen, Y.H
;
Jiang, C.Y
;
Zhang, H.Y
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/05/13
Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 359, 页码: 55-59
Li LG (Li, Li-Gong)
;
Liu SM (Liu, Shu-Man)
;
Luo S (Luo, Shuai)
;
Yang T (Yang, Tao)
;
Wang LJ (Wang, Li-Jun)
;
Liu JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Liu FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Ye XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu, Bo)
;
Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/26
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.84328
Huang SL
;
Wu Y
;
Zhu XF
;
Li LX
;
Wang ZG
;
Wang LZ
;
Lu GQ
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2011/07/05
SILICON NANOWIRES
SURFACE MIGRATION
NANOSTRUCTURES
CATALYST
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Improvement of electroluminescent performance of n-ZnO/AlN/p-GaN light-emitting diodes by optimizing the AlN barrier layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93708
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
UV ELECTROLUMINESCENCE
THIN-FILMS
ZNO
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