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半导体研究所 [20]
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学科主题
半导体材料 [20]
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学科主题:半导体材料
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Smooth GaAs (110) surface fabrication using the Ga-assisted deoxidation method
期刊论文
advanced materials research, 2012, 卷号: 341-342, 页码: 138-141
Liu, Jian-Qing
;
Chen, Yong-Hai
;
Xu, Bo
;
Wang, Zhan-Gzuo
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/05/07
Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 012003-1-012003-5
作者:
Ye Xiaoling
;
Xu Bo
;
Jin Peng
;
Peng Yinsheng
;
Ye Xiaoling
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2011/08/16
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia CH
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浏览/下载:255/27
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提交时间:2010/03/08
Growth behavior
SrTiO3
MOCVD
ZnO
Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544
Cui JP
;
Duan Y
;
Wang XF
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:220/122
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提交时间:2010/03/08
ZnO film
Strain status
GaN buffer layer
Sapphire
MVPE
Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367
作者:
Wei HY
;
Jiao CM
收藏
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浏览/下载:179/45
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提交时间:2010/03/08
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
WURTZITE-TYPE CRYSTALS
VAPOR-PHASE EPITAXY
INTRINSIC STRESS
SAPPHIRE SURFACE
THIN-FILMS
GAN
GROWTH
DIFFRACTION
MECHANISM
Study on mechanical properties of GaN epitaxy films grown on sapphire by MOCVD
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Liu Z (Liu Zhe)
;
Duan RF (Duan Ruifei)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m
期刊论文
thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351
Wang SM
;
Tangring I
;
Gu QF
;
Sadeghi M
;
Larsson A
;
Wang XD
;
Ma CH
;
Buyanova IA
;
Chen WM
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浏览/下载:116/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic
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