×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [1]
2003 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped
期刊论文
journal of crystal growth, 2015, 卷号: 426, 页码: 147-152
Shiyan Li
;
Xuliang Zhou
;
Xiangting Kong
;
Mengke Li
;
Junping Mi
;
Jing Bian
;
Wei Wang
;
Jiaoqing Pan
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2016/03/23
Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-dimensional GaAs-based photonic crystals
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 012003-1-012003-5
作者:
Ye Xiaoling
;
Xu Bo
;
Jin Peng
;
Peng Yinsheng
;
Ye Xiaoling
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2011/08/16
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274
Luo WJ (Luo Weijun)
;
Wei K (Wei Ke)
;
Chen XJ (Chen Xiaojuan)
;
Li CZ (Li Chengzhan)
;
Liu XY (Liu Xinyu)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
收藏
  |  
浏览/下载:135/0
  |  
提交时间:2010/03/29
GaN
Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
  |  
浏览/下载:44/1
  |  
提交时间:2010/03/08
LAYERS
SURFACTANT
SUBSTRATE
HEMT
SB
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
  |  
浏览/下载:61/12
  |  
提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:292/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
Numerical simulation of quantum directional couplers
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1997, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 167-170
Sheng WD
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ELECTRON-WAVE-GUIDE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
WIRES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace