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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [2]
2003 [2]
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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95
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Synthesis and characterization of well-aligned Zn1-xMgxO nanorods and film by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 2, 页码: 278-281
作者:
Song HP
;
Jiao CM
;
Wei HY
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浏览/下载:199/82
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提交时间:2010/03/08
Nanostructures
Metalorganic chemical vapor deposition
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
A simple route of morphology control and structural and optical properties of ZnO grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3063-3066
Fan, HB
;
Yang, SY
;
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:80/3
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
NANORODS
FILMS
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment
期刊论文
journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754
Cheng BC (Cheng Baochang)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
GALLIUM NITRIDE NANOTUBES
SINGLE-CRYSTALLINE
ALUMINA NANOTUBES
ALPHA-AL2O3 NANOWIRES
OXIDE NANOTUBES
ROUTE
FILMS
NANOSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25
Qu BZ
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XG
;
Wang XH
;
Wang D
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SIZE DISTRIBUTION
GROWTH
GAAS
DEPENDENCE
EMISSION
NUMBER
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:
Li DB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
stretched exponential
time-resolved photolummescence
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
InAlGaN
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
SELF-ORGANIZED GROWTH
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACTANT
ALGAAS
WIRE
A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194
Chen Z
;
Lu DH
;
Yuan HR
;
Han P
;
Liu XL
;
Li YF
;
Wang XH
;
Lu Y
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:101/11
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
GAN BUFFER LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
PHASE EPITAXY
SURFACES
TEMPERATURE
DEPENDENCE
MODE
WIRE
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