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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285 Kazanskii, AG; Kong, GL; Zeng, XB; Hao, HY; Liu, FZ 收藏  |  浏览/下载：104/29  |  提交时间：2010/03/08 silicon  conductivity  chemical vapor deposition  microcrystallinity  absorption  photoconductivity   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 stress  surface structure  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN  THICKNESS   Metal-organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization of InAlGaN Epilayers 期刊论文 人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 539-544 作者:  Li Dabing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION