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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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One-pot synthesis and self-assembly of colloidal copper(I) sulfide nanocrystals
期刊论文
nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 28, 页码: art. no. 285602
Tang AW (Tang Aiwei)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Li K (Li Kai)
;
Hou YB (Hou Yanbing)
;
Teng F (Teng Feng)
;
Cao J (Cao Jie)
;
Wang YS (Wang Yongsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:219/43
  |  
提交时间:2010/07/18
BINARY NANOPARTICLE SUPERLATTICES
LIGHT-EMITTING-DIODES
SOLVENTLESS SYNTHESIS
CDSE NANOCRYSTALS
QUANTUM DOTS
MONODISPERSE NANOCRYSTALS
OPTICAL-PROPERTIES
CDTE NANOCRYSTALS
CU2S NANOCRYSTALS
SOLAR-CELLS
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
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浏览/下载:293/52
  |  
提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
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浏览/下载:84/6
  |  
提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285
Kazanskii, AG
;
Kong, GL
;
Zeng, XB
;
Hao, HY
;
Liu, FZ
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  |  
浏览/下载:104/29
  |  
提交时间:2010/03/08
silicon
conductivity
chemical vapor deposition
microcrystallinity
absorption
photoconductivity
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
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浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
Metal-organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization of InAlGaN Epilayers
期刊论文
人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 539-544
作者:
Li Dabing
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate
期刊论文
thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Liu SA
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:102/13
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
X-ray diffraction
EPITAXY
RATIO
Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:89/13
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
defects
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GAN
GROWTH
EPITAXY
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:
Han PD
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
MgAl2O4
buffer layer
threading dislocation
transmission electron microscopy
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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