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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nucleation of diamond by pure carbon ion bombardment - a transmission electron microscopy study 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: art.no.063103 Yao, Y; Liao, MY; Wang, ZG; Lifshitz, Y; Lee, ST 收藏  |  浏览/下载：49/20  |  提交时间：2010/03/17 BEAM DEPOSITION   Diamond nucleation by energetic pure carbon bombardment 期刊论文 physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: art.no.035402 Yao Y; Liao MY; Kohler T; Frauenheim T; Zhang RQ; Wang ZG; Lifshitz Y; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/15  |  提交时间：2010/03/17 ION-BEAM DEPOSITION   Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Rapid thermal annealing of arsenic implanted Si1-xGex epilayers 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 122, 期号: 4, 页码: 639-642 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 DIFFUSION  SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 51-54 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514 Fan TW; Zou LF; Wang ZG; Hemment PLF; Greaves SJ; Watts JF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 ELECTRICAL-PROPERTIES  SI0.5GE0.5 ALLOY  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  SB  SUPERLATTICES  DIFFUSION  REGROWTH  SILICON  SI