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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2005 [4]
2003 [1]
2001 [1]
1995 [1]
1991 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001)
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801
作者:
You JB
;
Zhang XW
;
Fan YM
;
Tan HR
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浏览/下载:368/49
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提交时间:2010/03/08
BN THIN-FILMS
REFRACTIVE-INDEX
ELLIPSOMETRY
NUCLEATION
DIAMOND
DENSITY
Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation
期刊论文
diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 1482-1488
作者:
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:52/14
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提交时间:2010/03/17
cubic boron nitride
Nucleation of diamond by pure carbon ion bombardment - a transmission electron microscopy study
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: art.no.063103
Yao, Y
;
Liao, MY
;
Wang, ZG
;
Lifshitz, Y
;
Lee, ST
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浏览/下载:49/20
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提交时间:2010/03/17
BEAM DEPOSITION
Evidence of ultrafast energy exchange-induced soft'mode of phonons and lattice instability: a nanotime effect
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 737-740
Zhu XF
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
ION IRRADIATION
Diamond nucleation by energetic pure carbon bombardment
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: art.no.035402
Yao Y
;
Liao MY
;
Kohler T
;
Frauenheim T
;
Zhang RQ
;
Wang ZG
;
Lifshitz Y
;
Lee ST
收藏
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浏览/下载:44/15
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提交时间:2010/03/17
ION-BEAM DEPOSITION
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:83/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Diamond growth by carbon ion implantation of diamond
期刊论文
diamond and related materials, 1995, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 1353-1359
Lee ST
;
Lau WM
;
Huang LJ
;
Ren Z
;
Qin F
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
diamond subsurface growth
carbon implantation
diamond defect structure
diamond characterization
FILMS
CRYSTALS
COPPER
DIRECT ION-BEAM DEPOSITION OF CARBON-FILMS ON SILICON IN THE ION ENERGY-RANGE OF 15-500 EV
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 5623-5627
LAU WM
;
BELLO I
;
FENG X
;
HUANG LJ
;
QIN FG
;
YAO ZY
;
REN ZZ
;
LEE ST
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
DIAMOND-LIKE FILMS
IONIZED DEPOSITION
REACTIVE IONS
THIN-FILMS
GROWTH
SURFACES
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