×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [56]
内容类型
期刊论文 [49]
会议论文 [7]
发表日期
2013 [1]
2012 [1]
2011 [5]
2009 [4]
2008 [2]
2007 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [56]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共56条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Intriguing surface-extruded plastic flow of SiOx amorphous nanowire as athermally induced by electron beam irradiation
期刊论文
nanoscale, 2014, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 1499-1507
Zhu, XF
;
Su, JB
;
Wu, Y
;
Wang, LZ
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2015/05/11
Study on proton irradiation induced defects in GaN thick film
期刊论文
acta physica sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 117103
Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2014/04/30
Electricity generation from thermal irradiation governed by GaSb active layer
期刊论文
renewable energy, 2012, 卷号: 48, 页码: 231-237
Wang Y (Wang, Yu)
;
Zhang XW (Zhang, Xingwang)
;
Zhang XL (Zhang, Xiulan)
;
Chen NF (Chen, Nuofu)
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/03/26
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
  |  
浏览/下载:63/2
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
收藏
  |  
浏览/下载:25/3
  |  
提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
  |  
浏览/下载:74/2
  |  
提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Zhang ML
收藏
  |  
浏览/下载:65/4
  |  
提交时间:2011/07/07
GaN
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
  |  
浏览/下载:52/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113921
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
  |  
浏览/下载:99/0
  |  
提交时间:2010/04/03
annealing
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
收藏
  |  
浏览/下载:180/35
  |  
提交时间:2010/03/08
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
InGaAs
GaInNAs
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace