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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heteroepitaxy of Tetragonal BiFeO3 on Hexagonal Sapphire 期刊论文 acs applied materials & interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 2639-2646 Zhao, YJ; Yin, ZG; Zhang, XW; Fu, Z; Sun, BJ; Wang, JX; Wu, JL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/19 Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  interfaces  strain  molecular beam epitaxy  semiconductor IIIV materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  TECHNOLOGY  GAAS(001)  BEHAVIOR  SI   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS