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半导体研究所 [25]
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期刊论文 [21]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [25]
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共25条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:81/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Short range scattering mechanism of type-II GaSb/GaAs quantum dots on the transport properties of two-dimensional electron gas
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043702
Li GD (Li Guodong)
;
Yin H (Yin Hong)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Sakaki H (Sakaki Hiroyuki)
;
Jiang C (Jiang Chao)
收藏
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浏览/下载:204/41
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提交时间:2010/10/11
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
SYSTEMS
PHYSICS
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Thermal analysis and test for single concentrator solar cells
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 61-64
作者:
Wang Yu
;
Yang Xiaoli
;
Zhang Xingwang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/09
INAS
Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
期刊论文
solid state communications, 2007, 卷号: 143, 期号: 6-7, 页码: 300-303
Zhou, WZ (Zhou, W. Z.)
;
Lin, T (Lin, T.)
;
Shang, LY (Shang, L. Y.)
;
Yu, G (Yu, G.)
;
Huang, ZM (Huang, Z. M.)
;
Guo, SL (Guo, S. L.)
;
Gui, YS (Gui, Y. S.)
;
Dai, N (Dai, N.)
;
Chu, JH (Chu, J. H.)
;
Cui, LJ (Cui, L. J.)
;
Li, DL (Li, D. L.)
;
Gao, HL (Gao, H. L.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
quantum well
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:95/18
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提交时间:2010/03/29
ZnO
MOCVD
thermal annealing
photoluminescence
x-ray diffraction
atomic force microscopy
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISMS
EPITAXY
CVD
SI
Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
Xin G
;
Sun, GS
;
Li JM
;
Zhang YX
;
Lei W
;
Zhao WS
;
Zeng YP
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/03/17
ion implantation
The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu XL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
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浏览/下载:76/38
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提交时间:2010/03/09
X-ray diffraction
Metal-organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization of InAlGaN Epilayers
期刊论文
人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 539-544
作者:
Li Dabing
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
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