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科研机构
半导体研究所 [23]
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期刊论文 [17]
会议论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2008 [5]
2007 [2]
2005 [1]
2004 [3]
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学科主题
半导体材料 [23]
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学科主题:半导体材料
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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
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浏览/下载:94/1
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提交时间:2010/03/08
GaN
HEMT
2DEG
mobility
polarization
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262
作者:
Yang Xiaoli
;
Wang Yu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
The correlation between preferred orientation and performance of ITO thin films
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2007, 卷号: 18 suppl.1, 期号: 0, 页码: s411-s414
Chen Y (Chen Yao)
;
Zhou YQ (Zhou Yuqin)
;
Zhang QF (Zhang Qunfang)
;
Zhu MF (Zhu Meifang)
;
Liu FZ (Liu Fengzhen)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRICAL-PROPERTIES
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
Gao FB (Gao Fubao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
crystal structure
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