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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: art. no. 103515 Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/12/28 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 99-103 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：114/26  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  island columns  vapor phase epitaxy  Ge islands  nanomaterials  GROWTH  GE  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  LAYERS  DOTS   Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267 Zhu QS; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  DEEP LEVELS   Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443 作者:  Jiang DS;  Wang ZG;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum cascade laser  strain-compensation  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M  PERFORMANCE   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 X-RAY-DIFFRACTION  ISLANDS  SURFACES  GROWTH   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 1161-1163 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  ISLANDS  SURFACES  GROWTH  X-RAY-DIFFRACTION   Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  structure  TEM  X-ray  ISLANDS  GROWTH  GAAS  MULTILAYERS  SURFACES  X-RAY-DIFFRACTION   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS