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半导体研究所 [9]

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半导体材料 [9]

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限定条件	学科主题：半导体材料内容类型：期刊论文

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	Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者: Wang C 收藏 \| 浏览/下载：69/3 \| 提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon Buffer layer i/p interface Solar cells OPEN-CIRCUIT VOLTAGE A-SI-H P/I-INTERFACE MICROCRYSTALLINE SILICON VAPOR-DEPOSITION FILMS CAPACITANCE EFFICIENCY CRYSTALLINE TEMPERATURE
	Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏 \| 浏览/下载：93/5 \| 提交时间：2011/07/05 GaN-based LED Al composition electron blocking layer TEMPERATURE ALLOYS MOVPE
	Organic light emitting diodes using magnesium doped organic acceptor as electron injection layer and silver as cathode 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1911-1915 Cao GH; Qin DS; Guan M; Cao JS; Zeng YP; Li JM 收藏 \| 浏览/下载：89/3 \| 提交时间：2010/03/08 organic light emitting diodes
	Room Temperature Operation of Strain-Compensated 5.5μm Quantum Cascade Lasers 期刊论文半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2267-2270 作者: Liu Junqi; Jin Peng 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者: Jin P; Li CM 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2010/08/12 crystal structure lattice-mismatch microsctucture radiation X-ray diffraction molecular beam epitaxy infrared devices quantum cascade laser MU-M
	Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏 \| 浏览/下载：292/4 \| 提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN LIGHT-EMITTING-DIODES LOCALIZED EXCITONS GALLIUM NITRIDE FILMS DEFECTS LUMINESCENCE COMPENSATION SPECTROSCOPY ACCEPTORS
	Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2010/08/12 annealing cubic GaN Mg doping photoluminescence MOLECULAR-BEAM EPITAXY III-V NITRIDE P-TYPE GAN OPTICAL-PROPERTIES COMPENSATION DIODES FILMS
	Structural properties of SI-GaAs grown in space 期刊论文 gravitational effects in materials and fluid sciences, 1999, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 1211-1214 Chen NF; Wang YT; Zhong XR; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE MICROGRAVITY STOICHIOMETRY
	808 nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1004-1008 Zhu DH; Wang ZG; Liang JB; Xu B; Zhu ZP; Zhang J; Gong Q; Li SY 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/11/17 high-power semiconductor laser MBE quantum well MOLECULAR-BEAM EPITAXY QUANTUM-WELL LASERS BERYLLIUM DIODES MIGRATION OPERATION MIRRORS

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