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Luminescence of La0.2Y1.8O3 nanostructured scintillators 期刊论文
optics letters, 2014, 卷号: 39, 期号: 19, 页码: 5705-5708
Chen, W; Tu, HQ; Sahi, S; Mao, DF; Kenarangui, R; Luo, JM; Jin, P; Liu, SM; Ma, L; Brandt, A; Weiss, A
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20
A 7.81 W 355 nm ultraviolet picosecond laser using La2CaB10O19 as a nonlinear optical crystal 期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 14, 页码: 17187-17192
Zhang, L; Li, K; Xu, DG; Wang, N; Lin, XC; Wu, YC; Yao, JQ; Yu, HJ; Zhang, GC; Wang, YY; Wang, LR; Shan, FX; Yan, C; Yang, YY; Wang, BH
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/03/20
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:  Wang C
收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2011/07/05
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05
Growth Simulations of Self-Assembled Nanowires on Stepped Substrates 期刊论文
ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965
Liang S; Kong DH; Zhu HL; Wang W
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/02/06
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:  Song HP
收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:  Wei HY;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG
收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
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