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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 闫俊达 收藏  |  浏览/下载：432/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管   常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination 期刊论文 applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103 Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/16 Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN HEMT 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Yang, CB; Wang, BZ; Ran, JX; Xiao, HL; Wang, CM; Wang, JX 收藏  |  浏览/下载：51/6  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AIN/GaN HEMT  hydrogen sensor   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件 期刊论文 电子器件, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 479-481 陈晓娟; 刘新宇; 和致经; 刘键; 邵刚; 魏珂; 吴德馨; 王晓亮; 周钧铭; 陈宏 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/23