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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107 Qi QO (Qi Qiong); Yu AF (Yu Aifang); Wang LM (Wang Liangmin); Jiang C (Jiang Chao) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/30 Organic Field-Effect Transistor  Dielectric Surface Energy  Initial Nucleation  Mobility  Grain Size   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN HEMT 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Yang, CB; Wang, BZ; Ran, JX; Xiao, HL; Wang, CM; Wang, JX 收藏  |  浏览/下载：51/6  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AIN/GaN HEMT  hydrogen sensor   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   Compact voltage-mode multi-valued literal gate using nanoscale ballistic MOSFETs 期刊论文 electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 16, 页码: 968-969 Zhang, WC; Wu, NJ 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/03/08 MULTIPLE-VALUED LOGIC  IMPLEMENTATION  DESIGN   H+ISFET-based biosensor for determination of penicillin G 期刊论文 biosensors & bioelectronics, 1998, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 1023-1028 Liu JG; Liang L; Li GX; Han RS; Chen KM 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 H- ion sensitive field effect transistor (H+-ISFET)  penicillin G acylase  enzyme based FET biosensor (ENFET)  determination of penicillin G  ENZYME POTENTIOMETRIC SENSORS  ELECTRODES  ISFET  FIELD-EFFECT TRANSISTOR