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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2003 [1]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体化学 [9]
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学科主题:半导体化学
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Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847
作者:
Zhan F
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浏览/下载:267/108
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提交时间:2010/03/08
Quantum Dots
Desorption
Molecular Beam Epitaxy
Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336
作者:
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:211/56
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提交时间:2010/03/08
InAs Quantum Dots
Metamorphic Buffer
Molecular Beam Epitaxy
Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
InN
MOCVD
Mobility
In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate
期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
strain
dislocation
interfaces
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
COMPLIANT SUBSTRATE
RELAXATION
Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
Zhu QS
;
Matsushima H
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWTH
FACETS
WIRES
MOCVD
Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
INP(001)
INGAAS
The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
Wang YS
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang FF
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
epitaxial growth
RHEED
Raman spectrum
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SILICON
SURFACES
FILMS
LAYER
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106
作者:
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot array
InxGa1-xAs self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs (311)B
high-index
surface structure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
PHASE EPITAXY
INAS
SURFACES
MICROSTRUCTURES
GAAS(100)
ALIGNMENT
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing
期刊论文
applied surface science, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 205-208
Wang YQ
;
Liao XB
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Diao HW
;
He J
;
Kong GL
;
Zhao YW
;
Li ZM
;
Yun F
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous silicon
solid-phase crystallization
rapid thermal annealing
LPCVD POLYCRYSTALLINE SILICON
LOW-TEMPERATURE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
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