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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
发表日期
2009 [3]
2008 [2]
2003 [1]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体化学 [11]
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学科主题:半导体化学
专题:半导体研究所
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Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 844-847
作者:
Zhan F
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浏览/下载:267/108
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提交时间:2010/03/08
Quantum Dots
Desorption
Molecular Beam Epitaxy
Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336
作者:
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:211/56
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提交时间:2010/03/08
InAs Quantum Dots
Metamorphic Buffer
Molecular Beam Epitaxy
Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403
作者:
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Guo X
;
Wang YT
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浏览/下载:168/33
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提交时间:2010/03/08
Nitride materials
High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN/sapphire templates
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3350-3353 part 2
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Wu CM
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/08
XPS
Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2
Yang, CB
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Zhang, XB
;
Hua, GX
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
InN
MOCVD
Mobility
In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(001) substrate
期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 268-274
作者:
Xu B
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
strain
dislocation
interfaces
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
CRITICAL THICKNESS
COMPLIANT SUBSTRATE
RELAXATION
Cathodoluminescence on GaN hexagonal pyramids on submicron dot-patterns via selective MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 149-151
Zhu QS
;
Matsushima H
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWTH
FACETS
WIRES
MOCVD
Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates
期刊论文
applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
molecular beam epitaxy
high index
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
INP(001)
INGAAS
The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
Wang YS
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang FF
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
epitaxial growth
RHEED
Raman spectrum
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SILICON
SURFACES
FILMS
LAYER
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106
作者:
Xu B
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dot array
InxGa1-xAs self-assembly
molecular beam epitaxy
GaAs (311)B
high-index
surface structure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SELF-ORGANIZATION
PHASE EPITAXY
INAS
SURFACES
MICROSTRUCTURES
GAAS(100)
ALIGNMENT
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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