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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：46/3  |  提交时间：2011/07/05 Nitride materials  Crystal growth  Composition fluctuations  X-ray diffraction  LAYER   Parasitic reaction and its effect on the growth rate of AlN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 72-75 作者:  Jiang DS;  Li XY;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/04/11 growth rate  parasitic reaction  MOCVD  AlN  GAS-PHASE REACTIONS  MOVPE GROWTH  ALGAN MOVPE  ALXGA1-XN   Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 characterization  defects  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  nitrides  GAAS   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE