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科研机构
半导体研究所 [27]
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期刊论文 [21]
会议论文 [6]
发表日期
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2010 [5]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [2]
2004 [5]
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学科主题
光电子学 [27]
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共27条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93117
作者:
Yang H
;
Zhu JH
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:48/3
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提交时间:2011/07/05
DIODES
EFFICIENCY
Lineshape Analysis of the Beat Signal Between Optical Carrier and Delayed Sidebands
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2010, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 347-353
Zhu NH (Zhu Ning Hua)
;
Man JW (Man Jiang Wei)
;
Zhang HG (Zhang Hong Guang)
;
Ke JH (Ke Jian Hong)
;
Han W (Han Wei)
;
Chen W (Chen Wei)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Wang X (Wang Xin)
;
Yuan HQ (Yuan Hai Qing)
;
Xie L (Xie Liang)
收藏
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浏览/下载:100/3
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提交时间:2010/04/13
Coherence
heterodyne technique
intensity modulation
optical spectrum
lineshape
linewidth
SELF-HETERODYNE INTERFEROMETER
LASER LINEWIDTH MEASUREMENT
SURFACE-EMITTING LASER
SEMICONDUCTOR-LASER
MODULATION
DIODES
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes
期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 94009-1-94009-4
作者:
Duan Ruifei
;
Duan Ruifei
;
Ji Xiaoli
;
Ding Kai
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD
期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping)
;
Sun Y (Sun Yuanping)
;
Cho YH (Cho Yong-Hoon)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang LL (Wang Lili)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:513/2
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提交时间:2010/08/17
InN
Burstein-Moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
FUNDAMENTAL-BAND GAP
WELL STRUCTURES
EMISSION
SINGLE
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107
作者:
Yang H
;
Lu GJ
;
Zhang SM
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2010/03/08
LUMINESCENCE
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
zinc oxide
defect
vacancy
Distinct two dimensional lateral ordering of self-assembled quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 1952-1954
作者:
Ma WQ
;
Jiang DS
;
Chen LH
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浏览/下载:50/3
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提交时间:2010/03/08
lateral ordering
Silicon light emitting devices in CMOS technology
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 265-267
Chen HD (Chen Hong-Da)
;
Liu HJ (Liu Hai-Jun)
;
Liu JB (Liu Jin-Bin)
;
Ming G (Ming Gu)
;
Huang BJ (Huang Bei-Ju)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTROLUMINESCENCE
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