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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Xue CL
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/05
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
WAVE-GUIDE AMPLIFIERS
CRYSTALLINE FILMS
ERBIUM SILICATE
ENERGY-TRANSFER
SI
ER3+
EXCITATION
Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143
Zhou SQ (Zhou Shengqiang)
;
Wu MF (Wu M. F.)
;
Yao SD (Yao S. D.)
;
Zhang BS (Zhang B. S.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
superlattice
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
OPTICAL-PROPERTIES
INGAN/GAN
STRAIN
INTERFACE
GROWTH
GAN
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