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采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN基激光器的特性 期刊论文
红外与激光工程, 2009, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 41-44
作者:  张书明;  江德生;  赵德刚;  朱建军
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process 期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:  Yu LJ
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/11/23
In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23
热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 1544-1548
作者:  樊中朝
收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/11/23
UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250
作者:  王玉田;  成步文
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23

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