Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光
	廖凌宏 ; 周志文 ; 李成 ; 陈松岩 ; 赖虹凯 ; 余金中 ; 王启明
刊名	材料科学与工程学报
	2009
卷号	27 期号:1 页码:146-149
中文摘要	由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
英文摘要	由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:07导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3722.pdf: 366571 bytes, checksum: 8d4569becbe4bd723b6fb27391f3472c (MD5) Previous issue date: 2009; 国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金赍助项目; 厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金赍助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15795]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	廖凌宏,周志文,李成,等. Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光[J]. 材料科学与工程学报,2009,27(1):146-149.
APA	廖凌宏.,周志文.,李成.,陈松岩.,赖虹凯.,...&王启明.(2009).Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光.材料科学与工程学报,27(1),146-149.
MLA	廖凌宏,et al."Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光".材料科学与工程学报 27.1(2009):146-149.