×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [17]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [4]
发表日期
2017 [1]
2012 [3]
2011 [3]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [1]
更多...
学科主题
光电子学 [17]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
High quantum efficiency N-structure type-II superlattice mid-wavelength infrared detector with resonant cavity enhanced design
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 105, 期号: 2017, 页码: 28-33
作者:
Haoyue Wu
;
Yun Xu
;
Jian Li
;
Yu Jiang
;
Lin Bai
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2018/11/30
Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using SiOxNy Passivation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 7,part 1, 页码: 74002
Huang, JL
;
Ma, WQ
;
Cao, YL
;
Wei, Y
;
Zhang, YH
;
Cui, K
;
Deng, GR
;
Shi, YL
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/02/25
How to Use Type II InAs/GaSb Superlattice Structure to Reach Detection Wavelength of 2-3 mu m
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2012, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 1322-1326
Huang JL (Huang, Jianliang)
;
Ma WQ (Ma, Wenquan)
;
Wei Y (Wei, Yang)
;
Zhang YH (Zhang, Yanhua)
;
Cui K (Cui, Kai)
;
Cao YL (Cao, Yulian)
;
Guo XL (Guo, Xiaolu)
;
Shao J (Shao, Jun)
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2013/03/26
Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 17, 页码: 173511
Zhang, YH
;
Ma, WQ
;
Wei, Y
;
Cao, YL
;
Huang, JL
;
Cui, K
;
Guo, XL
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Wang YB
;
Xu Y
;
Zhang Y
;
Yu X
;
Song GF
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:49/4
  |  
提交时间:2011/07/07
InAs/GaSb superlattices
p-doping concentration
electrical and optical properties
Long Wavelength Infrared InAs/GaSb Superlattice Photodetectors with InSb-Like and Mixed Interfaces
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2011, 卷号: 47, 期号: 12, 页码: 1475-1479
Zhang, YH
;
Ma, WQ
;
Cao, YL
;
Huang, JL
;
Wei, Y
;
Cui, K
;
Shao, J
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/02/06
InAs/GaSb
interfaces
long wavelength infrared photodetector
type II superlattice
DETECTORS
GROWTH
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:65/4
  |  
提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
ALLOYS
High electrical-to-green efficiency high stability intracavity-frequency-doubled Nd:YAG-LBO QCW 532 nm laser with a straight cavity
期刊论文
laser physics letters, 2010, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 707-710
Zhang SB (Zhang Sh B.)
;
Cui QJ (Cui Q. J.)
;
Xiong B (Xiong B.)
;
Guo L (Guo L.)
;
Hou W (Hou W.)
;
Lin XC (Lin X. C.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/11/02
intracavity-frequency-doubled
high efficiency
532 nm
straight cavity
ND-YAG LASER
POWER
GENERATION
On detection wavelength and electron-hole wave function overlap of type II InAs/In-x Ga1-x Sb superlattice infrared photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 5, 页码: 3099-3106
Huang JL (Huang Jian-Liang)
;
Wei Y (Wei Yang)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:217/36
  |  
提交时间:2010/06/04
type II superlattice
Revised ab initio natural band offsets of all group IV, II-VI, and III-V semiconductors
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: art. no. 212109
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:112/0
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
band structure
cadmium compounds
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
IV-VI semiconductors
zinc compounds
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace