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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Squeeze effect and coherent coupling behaviour in photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: article no.115104 作者:  Jiang B 收藏  |  浏览/下载：60/6  |  提交时间：2011/07/06 SINGLE-TRANSVERSE-MODE  POWER  POLARIZATION  OXIDATION   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Slow wave effect of 2-D photonic crystal coupled cavity array 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 571-575 Du XY; Zheng WH; Ren G; Wang K; Xing MX; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：51/8  |  提交时间：2010/03/08 photonic crystal   Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917 作者:  Jiang DS;  Zhu JJ;  Li XY;  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 growth mode  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  indium nitride  X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  ELECTRON-TRANSPORT  BUFFER LAYER  THIN-FILMS  GAN FILMS  SAPPHIRE  ALN   High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 27-31 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/04/11 selective area growth  ultra-low pressure  InGaAsP  tapered mask  integrated device  BURIED-HETEROSTRUCTURE  MONOLITHIC INTEGRATION  SELECTIVE MOVPE  LASER  MODULATOR   Growth of crack-free AlGaN film on thin AlN interlayer by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40 Jin RQ; Liu JP; Zhang JC; Yang H 收藏  |  浏览/下载：496/215  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology