QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Orbital Parameters on SEU Rate of Low-Energy Proton in Nano-SRAM Device 期刊论文 SYMMETRY-BASEL, 2020, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 10 作者:  Ye, Bing;  Mo, Li-Hua;  Liu, Tao;  Sun, You-Mei;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13 SRAM  single-event upset  on-orbit error rate  low-energy proton   Investigation of single event effect in 28-nm system-on-chip with multi patterns* 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Yang, Wei-Tao;  Li, Yong-Hong;  Guo, Ya-Xin;  Zhao, Hao-Yu;  Li, Yang 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/12/15 system-on-chip  heavy ion  single event effect   Evaluation Method of Heavy-Ion-Induced Single-Event Upset in 3D-Stacked SRAMs 期刊论文 ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 14 作者:  Zhao, Peixiong;  Liu, Tianqi;  Cai, Chang;  He, Ze;  Li, Dongqing 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/15 Monte-Carlo simulation  single-event upset  test standard  three-dimensional integrated circuits  ultrahigh-energy heavy ion   CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 期刊论文 核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  文林;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/03/13 CMOS图像传感器  单粒子效应  抗辐射加固技术  空间辐射   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)