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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method 会议论文 作者:  Ding Y(丁艳);  Wang LX(王立新);  Zhang YF(张彦飞);  Liu MX(刘梦新) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/13 The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Liu, Tian-Qi;  Ye, Bing;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/10/08 flash memories  heavy ions  synergistic effect  total ionizing dose   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ] 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/09/27 Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)   Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文 作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Frequency dependence  Frequency independent  High-voltage switching  Metal-insulator-semiconductors  MIS-HEMT  Threshold voltage shifts  Voltage hysteresis