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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288 作者:  Yang YM(杨育梅) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/11/13 Ballistics  Dielectric materials  Drain current  Gate dielectrics  MOSFET devices  Poisson equation  Shims  Direct current performance  High- k  junctionless  Junctionless transistors  Non-equilibrium green functions  Nonequilibrium green function formalisms  Quantum simulators  Subthreshold characteristics   High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288 作者:  Yang, Yumei;  Lou, Haijun;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/15 High-k spacer  junctionless  nonequilibrium Green function (NEGF)  quantum simulator