CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Optical and electrical properties of high-quality Ti2O3 epitaxial film grown on sapphire substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 11
作者:  Yang, Zhou;  Liu, Shengzhong;  Yin, Mingli;  Fan, Haibo;  Wang, Mingzi
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/06/20
Sunlight-induced resistance changes and their effects on the semiconductor-metal transition behavior of VO2 film 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 8233-8239
作者:  Wang, Minhuan;  Bian, Jiming;  Sun, Hongjun;  Liu, Hongzhu;  Li, Xiaoxuan
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/02/27
Enhancing the Thermal Conductance of Polymer and Sapphire Interface via Self-Assembled Monolayer 期刊论文
ACS NANO, 2016, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 7792-7798
作者:  Zheng, Kun;  Sun, Fangyuan;  Zhu, Jie;  Ma, Yongmei;  Li, Xiaobo
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2016/10/18
高效大功率垂直结构芯片（紫外、蓝、绿光）的研究与开发 学位论文
2016, 2015
梁兴华
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/06/20
Self-Assembled Multilayer Structure and Enhanced Thermochromic Performance of Spinodally Decomposed TiO2-VO2 Thin Film 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 7054-7059
作者:  Sun, Guangyao;  Zhou, Huaijuan;  Cao, Xun;  Li, Rong;  Tazawa, Masato
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/02/27
Effects of thickneb on optical characteristics and strain distribution of thin-film GaN light-emitting diodes transferred to Si substrates 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4
作者:  Li, H;  Shi, YD;  Feng, MX(冯美鑫);  Sun, Q(孙钱);  Lu, TC
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11
Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate 期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11
GaN-based light emitting diodes on nano-hole patterned sapphire substrate prepared by three-beam laser interference lithography 期刊论文
Optoelectronics Letters, 2016
作者:  Sang, Wei-hua;  Lin, Lu;  Wang, Long;  Min, Jia-hua;  Zhu, Jian-jun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace