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Deep UV resonance Raman spectroscopic study on electron-phonon coupling in hexagonal III-nitride wide bandgap semiconductors 期刊论文
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2016, 卷号: 47, 期号: 8, 页码: 884-887
作者:  Feng, Zhaochi;  Li, Can;  Jin, Shaoqing;  Zhang, Ying;  Fan, Fengtao
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Deep uv resonance raman spectroscopic study on electron-phonon coupling in hexagonal iii-nitride wide bandgap semiconductors 期刊论文
Journal of raman spectroscopy, 2016, 卷号: 47, 期号: 8, 页码: 884-887
作者:  Jin, Shaoqing;  Zhang, Ying;  Fan, Fengtao;  Feng, Zhaochi;  Li, Can
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Porous AlN with a Low Dielectric Constant Synthesized Based on the Physical Vapor Transport Principle 期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 3263-3267
作者:  Wang, Hua-Jie;  Liu, Xue-Chao;  Kong, Hai-Kuan;  Xin, Jun;  Gao, Pan
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/02/27
Thermally conductive polystyrene/epoxy nanocomposites fabricated by selective localization of hybrid fillers 期刊论文
COLLOID AND POLYMER SCIENCE, 2016, 卷号: 294, 期号: 5, 页码: 901-910
作者:  Guo, Le;  Xiao, Chao;  Wang, Hui;  Chen, Lin;  Zhang, Xian
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/11/10
Aluminum nitride shaping by non-aqueous gelcasting of low-viscosity and high solid-loading slurry 期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 4, 页码: 5569-5574
作者:  Shen, LY;  Xu, XS;  Lu, W;  Shi, B
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Nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04
作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Effect of deposition temperature on the structural and surface properties of AlN by plasma enhanced atomic layer deposition 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2016, 卷号: 45, 期号: 4
作者:  Chen, F.;  X. Fang;  S. Wang;  S. Niu;  F. Fang
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/09/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
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Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2017/03/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11

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