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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate 会议论文 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014 作者:   收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2017/01/20 Semiconducting gallium  Bonding  Chemical bonds  Etching  Gallium arsenide  Germanium  Molecular beam epitaxy  Silicon oxides  Silicon wafers  Wafer bonding  Annealing temperatures  Bulk substrates  Chemical etching  Dose implantation  Epitaxial GaAs  High-crystalline quality  Room temperature bonding  Sacrificial layer   Kinetic investigation on the confined etching system of n-type gallium arsenide by scanning electrochemical microscopy 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/jp5056446, 2014 Zhang, Jie; Jia, Jingchun; Han, Lianhuan; Yuan, Ye; Tian, Zhong-Qun; Tian, Zhao-Wu; Zhan, Dongping; 张洁; 田中群; 田昭武; 詹东平 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22 Cystines  Gallium arsenide  Physical chemistry  Reaction rates  Scanning electron microscopy  Scanning probe microscopy  Semiconducting gallium   Characterization of homoepitaxial beta-Ga2O3 films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 j. cryst. growth, 2014, 卷号: 404, 页码: 75 作者:  Du, Xuejian;  Mi, Wei;  Luan, Caina;  Li, Zhao;  Xia, Changtai 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2016/11/28 X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Oxides  Semiconducting materials   Characterization of homoepitaxial beta-Ga2O3 films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 j. cryst. growth, 2014, 卷号: 404, 页码: 75 作者:  Du, Xuejian;  Mi, Wei;  Luan, Caina;  Li, Zhao;  Xia, Changtai 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/11/28 X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Oxides  Semiconducting materials