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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2014 Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Wu, Weikang; Feng, Hui; Huang, Liangxi; Fan, Jiewen; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 quasi-SOI device  single event effect (SEE)  total ionizing dose (TID)  worst case  TECHNOLOGIES  TRANSISTOR  CANDIDATE  MOSFET  UPSET   Remote charge scattering: a full Coulomb interaction approach and its impact on silicon nMOS FinFETs with HfO2 gate dielectric 期刊论文 SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2014 Wei KangLiang; Egley, James; Liu XiaoYan; Du Gang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 carrier transport  full Coulomb interaction  gate dielectric  high-kappa  Monte Carlo (MC)  FinFET  remote charge scattering (RCS)  FIELD-EFFECT-TRANSISTORS  MONTE-CARLO-SIMULATION  OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS  ELECTRON-MOBILITY  LIMITED MOBILITY  MOSFETS  DEGRADATION  STACKS