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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pd/Ni异结构纳米催化剂的制备及其对甲酸氧化的电催化 期刊论文 http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9926.shtml, 2012 任明军; 邹亮亮; 陈举; 袁婷; 黄庆红; 张海峰; 杨辉; 封松林; Mingjun Ren; Liangliang Zou; Ju Chen; Ting Yuan; Qinghong Huang; Haifeng Zhang; Hui Yang; Songlin Feng 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/11/18 甲酸氧化  电催化  Pd/Ni双金属  稳定性  formic acid oxidation  electrocatalysis  Pd/Ni heterostructure  durability   In-situ TEM observation of microstructural evolution in 18Cr-ODS steel induced by electron beam irradiation 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.pnsc.2012.10.003, 2012 Ran, Guang; Wu, Shenghua; Zhou, Zhangjian; Qiang, Rui; Li, Ning; Wang, Lumin; 冉广; 李宁 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 STRENGTHENED FERRITIC STEELS  HIGH-TEMPERATURE  ODS STEELS  STABILITY  OXIDES   Epitaxial growth of thick Ge layers with low dislocation density on silicon substrate by UHV/CVD 期刊论文 2012 Chen Cheng-Zhao; Zheng Yuan-Yu; Huang Shi-Hao; Li Cheng; Lai Hong-Kai; 赖洪凯; Chen Song-Yan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/04/15 Ge  epitaxial  UHVCVD  photoluminescence   Copper Can Still Be Epitaxially Deposited on Palladium Nanocrystals To Generate Core-Shell Nanocubes Despite Their Large Lattice Mismatch 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/nn2050278, 2012 Jin, M. S.; Zhang, H.; Wang, J. G.; Zhong, X. L.; Lu, N.; Li, Z. Y.; Xie, Z. X.; Kim, M. J.; Xia, Y. N.; 谢兆雄 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 SHAPE-CONTROLLED SYNTHESIS  SEED-MEDIATED GROWTH  OPTICAL-PROPERTIES  METAL NANOCRYSTALS  BIMETALLIC NANOCRYSTALS  REDUCTION METHOD  AU NANORODS  PD  GOLD  NANOSTRUCTURES   Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605, 2012 Chen, Chengzhao; Li, Cheng; Huang, Shihao; Zheng, Yuanyu; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GE  THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SI  LAYERS  INTEGRATION  TRANSISTORS  INSULATOR   One-pot synthesis of hexagonal and triangular nickel-copper alloy nanoplates and their magnetic and catalytic properties 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1039/c2jm16095a, 2012 Guo, Huizhang; Chen, Yuanzhi; Ping, Hemei; Wang, Laisen; Peng, Dong-Liang; 彭栋梁 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 BIMETALLIC NANOCRYSTALS  EPITAXIAL-GROWTH  REDUCTION METHOD  SINGLE-CRYSTAL  SILVER  SHAPE  NANOPARTICLES  SIZE  NANOSPHERES  PALLADIUM   Si基Ge材料的外延生长、原位掺杂及其光电性质 学位论文 2012, 2012 陈城钊 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/14 低温锗缓冲层技术  SiGe/Ge 超晶格  原位掺杂  Si 基Ge PN结  Low temperature buffer technique  trained layer superlattices(SLSs)  in situ doping  Si-based Ge PN junction  SOI-based Ge PIN structure   Si基外延Ge薄膜中残余应变的检测与分析 期刊论文 2012 周志文; 李成; 余金中 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/05/17 外延Ge薄膜  残余应变  高精度X射线衍射(XRD)  epitaxial Ge film  residual strain  high resolution X-ray diffraction(XRD)   Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605, 2012 Chen, Chengzhao; Li, Cheng; Huang, Shihao; Zheng, Yuanyu; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GE  THREADING-DISLOCATION DENSITIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  SI  LAYERS  INTEGRATION  TRANSISTORS  INSULATOR   硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长 期刊论文 2012 陈城钊; 郑元宇; 黄诗浩; 李成; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/05/17 Ge  外延生长  UHV/CVD  光致发光谱  Ge  epitaxial  UHVCVD  photoluminescence