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科研机构
北京大学 [3]
内容类型
其他 [3]
发表日期
2012 [3]
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共3条,第1-3条
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发表日期:2012
内容类型:其他
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Improvement of Endurance Degradation for Oxide Based Resistive Switching Memory Devices Correlated With Oxygen Vacancy Accumulation Effect
其他
2012-01-01
Lu, Y.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Fang, Z.
;
Fu, Y. H.
;
Yang, J. Q.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Kang, J. F.
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提交时间:2015/11/13
hafnium oxide
nonvolatile memory
endurance
conductive filament
oxygen vacancy
RRAM
High-Gate-Injection Tunneling Field Effect Transistor for Flash Memory Applications
其他
2012-01-01
Wu, Huiwei
;
Qin, Shiqiang
;
Cai, Yimao
;
Huang, Qianqian
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
HOT-ELECTRON
Self-compliance unipolar resistive switching and mechanism of Cu/SiO 2/TiN RRAM devices
其他
2012-01-01
Yu, D.
;
Liu, L.F.
;
Huang, P.
;
Zhang, F.F.
;
Chen, B.
;
Gao, B.
;
Hou, Y.
;
Han, D.D.
;
Wang, Y.
;
Kang, J.F.
;
Zhang, X.
收藏
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提交时间:2015/11/13
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