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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  LASER  ISLANDS   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Optical properties of aluminum-, gallium-, and indium-doped Bi4Ti3O12 thin films 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113108 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：105/4  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  FERROELECTRIC PROPERTIES  ELECTRICAL-PROPERTIES  STRUCTURAL-PROPERTIES  SUBSTRATE   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 142109 作者:  Zhang XH;  Chen L 收藏  |  浏览/下载：109/22  |  提交时间：2010/03/08 Curie temperature  ferromagnetic materials  gallium compounds  Kerr magneto-optical effect  magnetic relaxation  magnetic thin films  manganese compounds  semimagnetic semiconductors  spin dynamics  time resolved spectra   Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017802 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：167/34  |  提交时间：2010/03/08 EXCITATION DEPENDENCE  LINE-SHAPE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  HETEROSTRUCTURES  EPITAXY   Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001 作者:  Xue CL;  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：62/2  |  提交时间：2010/03/08 porous anodic alumina mask  silicon nanopore array structure  pattern transfer   Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107 作者:  Tan PH;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 colloidal crystals  II-VI semiconductors  infrared spectra  mercury compounds  nanostructured materials  photoluminescence  photonic crystals  semiconductor quantum dots  silicon-on-insulator   High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330 作者:  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：252/78  |  提交时间：2010/03/08 PHOTODIODE   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：87/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY