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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A novel noise optimization technique for inductively degenerated CMOS LNA 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 137-142 Geng Zhiqing; Wang Haiyong; Wu Nanjian 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 52, 页码: 21506-21511 Gai YQ(盖艳琴); Peng HW(彭浩为); Li JB(李京波) 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/04 MULTIPLE EXCITON GENERATION  AUGMENTED-WAVE METHOD  1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS  COLLOIDAL PBSE  SURFACE  PSEUDOPOTENTIALS  NANOCRYSTALS  RELAXATION  INTERBAND   Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   First principle study of Mg, Si and Mn co-doped GaN 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：231/44  |  提交时间：2010/03/08 Mg Si and Mn co-doped GaN  electronic structure  T-C  optical properties   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：65/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   High Polarization Single Mode Photonic Crystal Microlaser 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 084210 Chen W; Xing MX; Zhou WJ; Liu AJ; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2010/03/08 DEFECT LASER  NANOCAVITIES  SLAB   Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：71/34  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  ferromagnetic materials  magnetic moments  magnetic semiconductors  titanium compounds  vacancies (crystal)   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：131/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   A full spd tight-binding treatment for electronic bands of graphitic tubes 期刊论文 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 1-2, 页码: 82-86 Tang H; Jiang JW; Wang BS; Su ZB 收藏  |  浏览/下载：217/23  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructure  Electronic band structure   Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles LDA plus U and GGA plus U calculations 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581 Shi HL; Zhang P; Li SS; Sun B; Wang BT 收藏  |  浏览/下载：54/1  |  提交时间：2010/03/08 First-principle calculation  LDA plus U  GGA plus U  Elastic constants  Phonon dispersion