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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：254/68  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)  Implantation energy  Nonpolar a-plane GaN:Mn films  Room temperature   PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜 期刊论文 功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 6, 页码: 956-958 作者:  赵杰 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 Gao HY; Yan FW; Zhang Y; Li JM; Zeng YP; Wang JX 收藏  |  浏览/下载：164/24  |  提交时间：2010/03/08 GaN  Nonpolar  MOCVD  Nano-patterned   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-AFFINITY   射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 期刊论文 无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 作者:  王保柱 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23 The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar GaN:Cu films 期刊论文 materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 29, 页码: 2574-2576 Sun, LL (Sun, Lili); Yan, FW (Yan, Fawang); Zhang, HX (Zhang, Huixiao); Wang, JX (Wang, Junxi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Wang, GH (Wang, Guohong); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：170/32  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)