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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well 期刊论文 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 1315-1318 Wang J (Wang Jun); Li SS (Li Shu-Shen); Lu YW (Lue Yan-Wu); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：276/95  |  提交时间：2010/03/08 Binding energy   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：65/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：254/68  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)  Implantation energy  Nonpolar a-plane GaN:Mn films  Room temperature   The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 1, 页码: 91-93 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：219/46  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  (GA  MN)N   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-AFFINITY   Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28 作者:  Liu Shiyong;  Peng Wenbo 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar GaN:Cu films 期刊论文 materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 29, 页码: 2574-2576 Sun, LL (Sun, Lili); Yan, FW (Yan, Fawang); Zhang, HX (Zhang, Huixiao); Wang, JX (Wang, Junxi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Wang, GH (Wang, Guohong); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：170/32  |  提交时间：2010/03/08 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)