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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells 期刊论文 2008 Lin, GJ; Lai, HK; Li, C; Chen, SY; Yu, JZ; 李成 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 INFRARED PHOTODETECTORS  HOLE  TRANSITIONS   Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells 期刊论文 2008 Lin, G. J.; Lai, H. K.; Li, C.; Chen, S. Y.; Yu, J. Z.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 INFRARED PHOTODETECTORS  HOLE  TRANSITIONS   Study of valence intersubband absorption in tensile strained si/sige quantum wells 期刊论文 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 作者:  Lin Gui-Jiang;  Lai Hong-Kai;  Li Cheng;  Chen Song-Yan;  Yu Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Si/sige  Tensile strain  Effective mass  Valence intersubband transition   Impact of Inhomogeneous Strain on the Valence Band Structures of Ge-Si Core-Shell Nanowires 其他 2008-01-01 He, Yuhui; Fan, Chun; Zhao, Yu Ning; Du, Gang; Liu, Xiao Yan; Han, Ruqi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 strain effect  core-shell nanowire  valence band  QUANTUM-WELLS  HETEROSTRUCTURES  DOTS   Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 Lin GJ; Lai HK; Li C; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/08 Si/SiGe