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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [4]
学科主题
光电子学 [4]
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发表日期:2008
学科主题:光电子学
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High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: art. no. 043516
Sun, Q
;
Wang, JT
;
Wang, H
;
Jin, RQ
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Zhao, DG
;
Yang, H
;
Zhou, SQ
;
Wu, MF
;
Smeets, D
;
Vantomme, A
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
STRESS
SI(111)
REDUCTION
THICKNESS
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
High-brightness GaN-based blue LEDs grown on a wet-patterned sapphire substrate - art. no. 68410T
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Zhang, Y
;
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
nitrides
LED
MOCVD
patterned sapphire substrate
wet etching
Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer
会议论文
5th ieee international conference on group iv photonics, sorrento, italy, sep 17-19, 2008
作者:
Xue CL
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提交时间:2010/03/09
SIGE/SI(100) EPITAXIAL-FILMS
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