×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [6]
学科主题
半导体材料 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
发表日期:2007
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Surface plasmon enhanced ultraviolet emission from ZnO films deposited on Ag/Si(001) by magnetron sputtering
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 23, 页码: art. no. 231907
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Fan YM
收藏
  |  
浏览/下载:54/1
  |  
提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者:
Ye XL
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/03/29
photoluminescence
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/03/29
deep defect
Photoluminescence investigation of InAs bimodal self-assembled quantum dots state filling
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
Jia, GZ
;
Yao, JH
;
Zhang, CL
;
Shu, Q
;
Liu, RB
;
Ye, XL
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:60/2
  |  
提交时间:2010/03/08
photoluminescence spectroscopy
quantum dot
bimodal distribution
state-filling
Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
  |  
浏览/下载:44/1
  |  
提交时间:2010/03/08
LAYERS
SURFACTANT
SUBSTRATE
HEMT
SB
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
收藏
  |  
浏览/下载:162/28
  |  
提交时间:2010/03/29
micro-raman
4H-SiC
defects
3C-inclusions
triangle-shaped inclusion
EPITAXIAL LAYERS
SILICON-CARBIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace