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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal lensing effect in ridge structure ingan multiple quantum well laser diodes 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: 3 作者:  Li, D. Y.;  Huang, Y. Z.;  Zhu, J. J.;  Zhao, D. G.;  Liu, Z. S. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 A 1.5 mu m n-type ingaasp/ingaasp modulation-doped multiple quantum well dfb laser by mocvd 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 306-310 作者:  Zhang, RY;  Wang, W;  Zhou, F;  Wang, BJ;  Wang, LF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal lensing effect in ridge structure InGaN multiple quantum well laser diodes 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Li DY (Li D. Y.); Huang YZ (Huang Y. Z.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Ye XJ (Ye X. J.); Chong M (Chong M.); Chen LH (Chen L. H.); Yang H (Yang H.); Liang JW (Liang J. W.) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR  WAVE-GUIDE LASER  GAN SUBSTRATE  INDEX  TEMPERATURE  GAIN   A 1.5 mu m n-type InGaAsP/InGaAsP modulation-doped multiple quantum well DFB laser by MOCVD 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 306-310 Zhang RY; Wang W; Zhou F; Wang BJ; Wang LF; Bian J; Zhao LJ; Zhu HL; Jian SS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR  THRESHOLD CURRENT-DENSITY  DIFFERENTIAL GAIN  MQW LASERS