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内容类型
期刊论文 [20]
专利 [3]
会议论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2005 [26]
学科主题
半导体物理 [3]
光电子学 [2]
半导体材料 [2]
生物力学 [1]
红外基础研究 [1]
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共26条,第1-10条
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发表日期:2005
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70
75
80
85
90
95
100
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Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:
周孝好
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2012/07/11
自旋极化
Ge
Gaas
密度泛函理论
铁磁性
Magnetron sputtering growth of inas0.3sb0.7 films on (100) gaas substrates: strong effect of growth conditions on film structure
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Peng, CT
;
Chen, NF
;
Wu, JL
;
Yin, ZG
;
Yu, Y
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal structure
Magnetron sputtering
Semiconducting iii-v materials
Effect of annealing on optical properties of inas quantum dots grown by mocvd on gaas (100) vicinal substrates
期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2692-2695
作者:
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Pan, JQ
;
Zhao, LJ
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Comparative study of inas quantum dots grown on different gaas substrates by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304
作者:
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Pan, JQ
;
Hou, LP
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Bimodal size distribution
Low-diniensional structures
Metalorganic chemical vapor deposition
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Formation of gaas/algaas and ingaas/gaas nanorings by droplet molecular-beam epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 9, 页码: 3
作者:
Gong, Z
;
Niu, ZC
;
Huang, SS
;
Fang, ZD
;
Sun, BQ
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Photoemission study of chemisorption and fermi-level pinning at k/gaas(100) interface with synchrotron radiation
期刊论文
Applied surface science, 2005, 卷号: 249, 期号: 1-4, 页码: 340-345
作者:
Sun, MH
;
Zhao, TX
;
Jia, CY
;
Xu, PS
;
Lu, ED
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray photoelectron spectroscopy
Fermi-level pinning
Schottky barrier
The effect of in content on high-density inxga1-xas quantum dots
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 1-2, 页码: 173-178
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
High density
Photoluminescence
Uniformity
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
In component
Photoinduced voltage shift in a three-barrier, two-well resonant tunneling structure integrated with a 1.2-mu m-thick n-type gaas layer
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 242-246
作者:
Zhou, X
;
Zheng, HZ
;
Li, GR
;
Hu, B
;
Gan, HD
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Photoinduced
Voltage shift
Resonant tunneling structure
半导体激光器及其制造方法
专利
专利号: CN1610995A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者:
佐藤典文
;
今西大介
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/01/18
一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1603795, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
劳燕锋
;
吴惠桢
;
封松林
;
齐鸣
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/01/06
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