CORC

浏览/检索结果: 共26条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:  周孝好
收藏  |  浏览/下载:68/0  |  提交时间:2012/07/11
Magnetron sputtering growth of inas0.3sb0.7 films on (100) gaas substrates: strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:  Peng, CT;  Chen, NF;  Wu, JL;  Yin, ZG;  Yu, Y
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/05/12
Effect of annealing on optical properties of inas quantum dots grown by mocvd on gaas (100) vicinal substrates 期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 2692-2695
作者:  Liang, S;  Zhu, HL;  Pan, JQ;  Zhao, LJ;  Wang, W
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/05/12
Comparative study of inas quantum dots grown on different gaas substrates by mocvd 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 3-4, 页码: 297-304
作者:  Liang, S;  Zhu, HL;  Pan, JQ;  Hou, LP;  Wang, W
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2019/05/12
Formation of gaas/algaas and ingaas/gaas nanorings by droplet molecular-beam epitaxy 期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 9, 页码: 3
作者:  Gong, Z;  Niu, ZC;  Huang, SS;  Fang, ZD;  Sun, BQ
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/05/12
Photoemission study of chemisorption and fermi-level pinning at k/gaas(100) interface with synchrotron radiation 期刊论文
Applied surface science, 2005, 卷号: 249, 期号: 1-4, 页码: 340-345
作者:  Sun, MH;  Zhao, TX;  Jia, CY;  Xu, PS;  Lu, ED
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/05/12
The effect of in content on high-density inxga1-xas quantum dots 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 282, 期号: 1-2, 页码: 173-178
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/05/12
Photoinduced voltage shift in a three-barrier, two-well resonant tunneling structure integrated with a 1.2-mu m-thick n-type gaas layer 期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 242-246
作者:  Zhou, X;  Zheng, HZ;  Li, GR;  Hu, B;  Gan, HD
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2019/05/12
半导体激光器及其制造方法 专利
专利号: CN1610995A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者:  佐藤典文;  今西大介
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1603795, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
劳燕锋; 吴惠桢; 封松林; 齐鸣
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/01/06


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace