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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation 期刊论文 high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39 Chen J; Wang JF; Zhang JC; Wang H; Huang Y; Wang YT; Yang H; Jia QJ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  epitaxy lateral overgrowth  stacking faults  synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)  pole figure  WURTZITE GAN  LUMINESCENCE