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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2004    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crack-free inalgan quaternary alloy films grown on si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  Si(111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan   Growth of crack-free gan films on si(111) substrate by using al-rich aln buffer layer 期刊论文 Journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 作者:  Lu, Y;  Cong, GW;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Reduction of tensile stress in gan grown on si(111) by inserting a low-temperature aln interlayer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhang, BS;  Wu, M;  Liu, JP;  Chen, J;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitride  Semiconductor iii-v materials   Effect of the n/al ratio of aln buffer on the crystal properties and stress state of gan film grown on si(111) substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335 作者:  Wu, M;  Zhang, BS;  Chen, J;  Liu, JP;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Full-width at half-maximum  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan films   Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Gao, X; Li, JM; Sun, GS; Zhang, NH; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：135/48  |  提交时间：2010/03/29 SI(111)  ALN   Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：207/73  |  提交时间：2010/03/09 full-width at half-maximum   Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：192/51  |  提交时间：2010/03/09 X-ray diffraction   Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/29  |  提交时间：2010/03/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION