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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3